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7142SA25JG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小141KB，共15页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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7142SA25JG8概述

Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

7142SA25JG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ,
针数	52
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3
长度	19.1262 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	52
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	19.1262 mm
Base Number Matches	1

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描述	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC	LCC
包装说明	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,	QCCJ,
针数	52	52	52	52	52	52	52	52	52	52
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	100 ns	25 ns	20 ns	35 ns	55 ns	55 ns	100 ns	25 ns	25 ns
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm
内存密度	16384 bit	16384 bi	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	52	52	52	52	52	52	52	52	52	52
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm	19.1262 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	-	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-	-

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