Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1800V V(DRM),
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | Dynex |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 标称电路换相断开时间 | 110 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3.5 V |
| 最大维持电流 | 230 mA |
| 最大漏电流 | 100 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 21000 A |
| 最大通态电流 | 1200000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 断态重复峰值电压 | 1800 V |
| 表面贴装 | NO |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
| DCR1003SF18 | DCR1003SF15 | DCR1003SF14 | DCR1003SF16 | DBP-M987-01-1802-JG | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1800V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1500V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1400V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1600V V(DRM), | Array/Network Resistor, Bussed, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 18000ohm, 100V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 7726, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | compliant |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 厂商名称 | Dynex | Dynex | Dynex | Dynex | - |
| 针数 | 4 | 4 | 4 | 4 | - |
| 标称电路换相断开时间 | 110 µs | 110 µs | 110 µs | 110 µs | - |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | - |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA | - |
| 最大直流栅极触发电压 | 3.5 V | 3.5 V | 3.5 V | 3.5 V | - |
| 最大维持电流 | 230 mA | 230 mA | 230 mA | 230 mA | - |
| 最大漏电流 | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA | - |
| 通态非重复峰值电流 | 21000 A | 21000 A | 21000 A | 21000 A | - |
| 最大通态电流 | 1200000 A | 1200000 A | 1200000 A | 1200000 A | - |
| 断态重复峰值电压 | 1800 V | 1500 V | 1400 V | 1600 V | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | - |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
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