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IRHM57260SE

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小181KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHM57260SE概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

IRHM57260SE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.049 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
Mf Rc500通信协议
通讯格式:数据包长度L(1byte) 命令字C(1byte) 数据包D(L-1bytes)通讯方向:- 下位机送给上位机- 上位机送给下位机IC卡读写器Demo程序:1) 启动- 02 0B 0F (02为长度,0B为命令字,测试凤鸣器,0F凤鸣器响的时间)- 01 00 (01为长度,00为测试成功)2) 寻卡- 02 02 26 (02为命令字,26为RegMfOutSelect)- 03 0...
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