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HCS74DMSH

产品描述D Flip-Flop, HC/UH Series, 2-Func, Positive Edge Triggered, 1-Bit, Complementary Output, CMOS, CDIP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小254KB,共7页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCS74DMSH概述

D Flip-Flop, HC/UH Series, 2-Func, Positive Edge Triggered, 1-Bit, Complementary Output, CMOS, CDIP14

HCS74DMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型D FLIP-FLOP
最大I(ol)0.004 A
位数1
功能数量2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性COMPLEMENTARY
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup37 ns
传播延迟(tpd)40 ns
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量1M Rad(Si) V
触发器类型POSITIVE EDGE
Base Number Matches1

HCS74DMSH相似产品对比

HCS74DMSH HCS74KMSH
描述 D Flip-Flop, HC/UH Series, 2-Func, Positive Edge Triggered, 1-Bit, Complementary Output, CMOS, CDIP14 D Flip-Flop, HC/UH Series, 2-Func, Positive Edge Triggered, 1-Bit, Complementary Output, CMOS, CDFP14
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY
系列 HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14
JESD-609代码 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 D FLIP-FLOP D FLIP-FLOP
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A
位数 1 1
功能数量 2 2
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
输出极性 COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DFP
封装等效代码 DIP14,.3 FL14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 37 ns 37 ns
传播延迟(tpd) 40 ns 40 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
Base Number Matches 1 1
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