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5082-2804

产品描述Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-2804概述

Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon,

5082-2804规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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5082-2804
SCHOTTKY BARRIER DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2804
is a Silicon Small
Signal Schottky Diode Designed for
General Purpose UHF/VHF Detection
and Pulse Applications. Color Band
Indicates Cathode.
PACKAGE STYLE 01
FEATURES:
Unconnected matched pair
5082-2800
MAXIMUM RATINGS
I
V
P
DISS
T
J
T
STG
35 mA
70 V
250 mW @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +200 °C
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
R
I
R
V
F
∆V
F
C
t
I
R
= 10
µA
V
R
= 50 V
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 15 mA
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
70
TYPICAL
MAXIMUM
200
410
1.0
20
UNITS
V
µA
mV
V
mV
pF
pS
I
F
= 0.5, 5 mA
V
R
= 0 V
I
F
= 5.0 mA
f = 1.0 MHz
2.0
100
τ
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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