Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT5087EMTR

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CMLT5087EMTR: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND PICOMINI-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小745KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMLT5087EMTR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND PICOMINI-6

CMLT5087EMTR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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CMLT5087EM

SURFACE MOUNT

DUAL, MATCHED

PNP SILICON TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5087EM

consists of two individual, isolated 5087E PNP silicon

transistors with matched VBE(ON) characteristics.

This device is designed for applications requiring high

gain and low noise.

MARKING CODE: 87M

FEATURES:

• Transistor pair matched for VBE(ON)

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

UNITS

SOT-563 CASE

• Device is

Halogen Free

by design

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

5.0

100

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

SYMBOL

TEST CONDITIONS

ICBO

VCB=20V

IEBO

VEB=3.0V

BVCBO

IC=100μA

BVCEO

IC=1.0mA

BVEBO

IE=100μA

VCE(SAT)

IC=10mA, IB=1.0mA

VCE(SAT)

IC=100mA, IB=10mA

VBE(SAT)

IC=10mA, IB=1.0mA

hFE

VCE=5.0V, IC=0.1mA

hFE

VCE=5.0V, IC=1.0mA

hFE

VCE=5.0V, IC=10mA

hFE

VCE=5.0V, IC=100mA

VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz

Cob

VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz

Cib

VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

hfe

VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ

f=10Hz to 15.7kHz

MATCHING CHARACTERISTICS:

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VBE1-VBE2

VCE=5.0V, IC=1.0μA

VBE1-VBE2

VCE=5.0V, IC=5.0μA

VBE1-VBE2

VCE=5.0V, IC=10μA

VBE1-VBE2

VCE=5.0V, IC=100μA

(TA=25°C unless otherwise noted)

MIN

TYP

MAX

150

105

5.0

7.5

100

225

400

700

800

300

390

900

300

380

300

350

100

4.0

350

1400

3.0

MIN

MAX

UNITS

MHz

R1 (20-January 2010)

CMLT5087EMTR相似产品对比

	CMLT5087EMTR	CMLT5087EMTRLEADFREE
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND PICOMINI-6	Transistor
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	50	300
JESD-609代码	e0	e3
最高工作温度	150 °C	150 °C
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz

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