CY7C167A-45DMB,CY7C167A-45DMB pdf中文资料,CY7C167A-45DMB引脚图,CY7C167A-45DMB电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C167A-45DMB: 产品描述Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20; 产品类别存储存储; 文件大小215KB，共7页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C167A-45DMB概述

Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20

CY7C167A-45DMB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERDIP-20
针数	20
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T20
JESD-609代码	e0
长度	24.13 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

CY7C167A-45DMB相似产品对比

	CY7C167A-45DMB	CY7C167A-20DMB	CY7C167A-25PC	CY7C167A-25VC
描述	Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 20ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	SOJ
包装说明	0.300 INCH, CERDIP-20	0.300 INCH, CERDIP-20	DIP, DIP20,.3	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20
针数	20	20	20	20
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99
最长访问时间	45 ns	20 ns	25 ns	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T20	R-GDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDSO-J20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	24.13 mm	24.13 mm	25.527 mm	12.827 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	SOJ
封装等效代码	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	SOJ20,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	4.826 mm	3.556 mm
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.05 mA	0.08 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.5057 mm

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