IS61C62-L30N概述

Standard SRAM, 16KX4, 30ns, CMOS, PDIP28

IS61C62-L30N规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	DIP-28
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	30 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	35.3 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大待机电流	0.0001 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.36 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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