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DS1630ABL-100-IND

产品描述Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS,
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文件大小474KB,共12页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1630ABL-100-IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS,

DS1630ABL-100-IND规格参数

参数名称属性值
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
其他特性10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-XDSO-U34
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量34
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码MODULE,34LEAD,1.0
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J INVERTED
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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