Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8342TT07BGD-450IT

文档预览

GS8342TT07BGD-450IT: 产品描述DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小548KB，共30页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

下载文档详细参数全文预览

GS8342TT07BGD-450IT概述

DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

GS8342TT07BGD-450IT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	450 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	165
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最小待机电流	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GS8342TT07/10/19/37BD-450/400/350/333/300

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• 2.0 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaDDR™ Interface

• Common I/O bus

• JEDEC-standard pinout and package

• Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

• Dual-Range On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte

Write (BW), and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation with self-timed Late Write

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

36Mb SigmaDDR-II+

Burst of 2 SRAM

450 MHz–300 MHz

1.8 V V

1.8 V or 1.5 V I/O

Bottom View

165-Bump, 13 mm x 15 mm BGA

1 mm Bump Pitch, 11 x 15 Bump Array

SigmaDDR™ Family Overview

The GS8342TT07/10/19/37BD are built in compliance with

the SigmaDDR-II+ SRAM pinout standard for Common I/O

synchronous SRAMs. They are 37,748,736 (36Mb) SRAMs.

The GS8342TT07/10/19/37BD SigmaDDR-II+ SRAMs are

just one element in a family of low power, low voltage HSTL

I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Clocking and Addressing Schemes

The GS8342TT07/10/19/37BD SigmaDDR-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

Because Common I/O SigmaDDR-II+ RAMs always transfer

data in two packets, A0 is internally set to 0 for the first read

or write transfer, and automatically incremented by 1 for the

next transfer. Because the LSB is tied off internally, the

address field of a SigmaDDR-II+ B2 RAM is always one

address pin less than the advertised index depth force return

(e.g., the 2M x 18 has a 1M addressable index).

Parameter Synopsis

-450

tKHKH

tKHQV

2.22 ns

0.45 ns

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

3.0 ns

0.45 ns

-300

3.3 ns

0.45 ns

Rev: 1.01 6/2012

1/30

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

推荐资源

由TC4013和模拟开关TC4066构成的可编程定时电路

Protel99 SE 拼板的详细图解: 很多网友跟我沟通，提到我上次博文中的protel99se中做拼板图解过于简略，应大家的有求，重新修改了操作图示。首先打开PCB文档。如图所示：电路板的原点并没有在边上，为了操作方便和规范， ......; pa2792 PCB设计

看DATASHEET有几个不明白的地方: 有三个画红线的地方第一个为仕么要加根号，感觉不用加。第二个翻译出来负轨道是指负电压么？第三个翻译出来宏模型是翻译错误吗？ ...; 天天1 模拟电子

Platform Builder 5.0:请教高人，键盘消息: 我的image做好，下载到目标板，为啥一旦焦点在输入框，就自动弹出软键盘，不停的显示输入3，哪位大虾遇到过，请指教。谢谢...; 还我今生嵌入式系统

请教BSP中未定义中断 IRQ_SSP 有关问题...: CPU是PXA270 ,我的BSP中只是定义了 IRQ_SSP 这个标识, OEMInterruptHandler 相关地方没看到 IRQ_SSP有关的初始化和使能函数, 如果我要使用 IRQ_SSP 这个中断, 要做如何工作? 谢谢指导~...; fengyiqishi 嵌入式系统

DSP控制异步电机直接转矩低速能做到多少: 异步电机直接转矩控制低速能做到多少？...; 安_然 DSP 与 ARM 处理器

这个笑话来自南京城，你看懂了吗？: 一个0和一个1在南京坐地铁，下车后居然只有一个0了，请问为什么？http://img.t.sinajs.cn/t4/appstyle/expression/ext/normal/6a/laugh.gifhttp://img.t.sinajs.cn/t4/appstyle/expression/ext/ ......; qwqwqw2088 聊聊、笑笑、闹闹

用于核磁共振成像系统的振荡器分析

　　核磁共振成像系统(MRI)可以拍摄高分辨率的人体剖面透视图，为医疗症断提供非常有用的信息。射频探针是MRI系统的重要部件，该探针发射出均匀的射频磁场，并接收人体反射回来的磁共振信号，还原出高质量的图像。本文将描述一种核磁共振成像系统探头的电磁分析。　　现在已有很多MRI系统的射频探头，为了提高填充系数，进而提高信噪比，人们越来越关注非柱状线圈的研究。椭园线圈就非常适合门诊应用(如手腕或腹...[详细]
UHF RFID标签电路设计

　　射频识别(RFID)市场出现强劲增长，2004年其销售额高达17亿美元，2008年预计将达到59亿美元。这种激增的需求受到来自下一代RFID系统的带动，下一代系统将会提供非视距的可读性、改进的安全性，并可以重新配置产品信息。这些应用包括了库存跟踪、处方用药跟踪和认证、汽车安全钥匙，以及安全设施的门禁控制等。在很多以前的出版物中可以找到有关RFID应用与发展良机的细节。这些功能将可能通过EPC...[详细]
CSR公开展示手机蓝牙低功耗技术

　　无线技术提供商CSR公司日前在全球公开展示了手机采用CSR BlueCore7芯片的蓝牙低功耗技术。此次在旧金山召开的蓝牙技术联盟医疗工作组会议上展示了一套体重计和一个温度传感器，它们通过蓝牙低功耗技术与手机相联接。这是迈向建立标准化低功耗无线技术方向的重要一步，并强化了CSR推动蓝牙低功耗产品开发的承诺，特别是针对医疗领域的各种应用。蓝牙技术联盟有望于2009年一季度最终采用蓝牙低功耗技术...[详细]
欲攻手机芯片市场破除高通垄断成关键

　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
研诺的新型高集成电源管理芯片AAT2603

2008 年 7 月 9 日，研诺逻辑科技有限公司宣布推出编号为 AAT2603 的芯片，这是一款新型高度集成的电源管理芯片，专门针对移动全球定位设备 (GPS) 、便携式多媒体播放器（ PMP ）以及其它以单节锂离子电池供电的手持移动系统而设计。这款芯片在小型 4x4-mm TDFN 封装内集成了 6 种电源功能，包括两个降压转换器和 4 个 LDO ，每个都带有独立控制管脚，因此可提供设...[详细]
AMD换帅Meyer接替鲁毅智担任CEO

　　人一直在猜想鲁毅智会在AMD首席执行官的位子上坐多久，现在他们终于在7月17日得到答案了。AMD在那一天宣布，公司首席运营官Dirk Meyer接替鲁毅智出任新首席执行官。　　鲁毅智带领AMD对英特尔发起了猛烈的攻击，在新世纪之初凭借Opteron服务器平台和Athlon电脑芯片夺回了不少市场份额。但是那是因为AMD早在鲁毅智加盟之前就已经打好了基础。 Opteron和Athlon芯片采...[详细]
重重危机下中国电子制造业抱团前行

　　随着中国电子制造业的发展和全球电子制造向中国的转移，中国的电子制造公司如雨后春笋。在中国的长三角、珠三角以及环渤海地区，形成了相对完整的电子产业群落。于此同时，作为电子制造业中重要的一环，SMT/EMS产业也主要集中在以上地区。这些地区的SMT/EMS总量占全国80%以上。按地区分，以珠三角及周边地区最强，长三角地区次之，环渤海地区第三。环渤海地区SMT/EMS总量虽与珠三角和长三角相比有较...[详细]
英特尔下调处理器价格降幅最高达31%

　　据国外媒体报道，英特尔将处理器价格最高下调31%，但降价整体来说是有限的。　　根据英特尔7月20日的新定价单来看，Core 2 Duo E8500(3.16GHz)价格降幅最高，从266美元下调至183美元，降幅达31%；Core 2 Duo E7200 (2.53GHz)次之，从133美元下调至113美元，降幅15%。　　其他降价处理器还有四核Q6600(2.4GHz)，从224美...[详细]
有关独立医学实验室市场的现状与分析

　　独立医学实验室的产生背景　　上世纪五六十年代，发达国家医学的发展进步给国民健康带来了福音，但也给社会带来了沉重的经济负担。美国尤为突出，为减轻国民负担，美国政府推出“合理利用资源减少医疗开支”的策略及一系列医疗体制改革进行干预，同时引入市场机制，加剧行业竞争，最终导致医学检验行业中以集约化为核心竞争力的医学独立实验室的产生。　　当时美国出现了一些小型的医学独立实验室，为医院提供医学检验...[详细]
数字信号测量走向高集成

虽然已经从Hewlett和Packard两位创新领袖创办的百年老店里分拆了出来，但是创新的灵魂却一直照亮着安捷伦前进的道路。以高带宽示波器为例，在它还未涉足这个市场之前，主要供应商们一直都采用由分立器件组成复杂的电路板来制造测量仪器，其缺点是，在被还原到显示器上之前，所测信号已经经历了太多的处理流程与太长的电路板线路。因此，由于所测信号的速度尚未达到严重影响测量精度的水平，很长一段时间内，...[详细]
安捷伦推出全新逻辑分析仪16900系列

安捷伦科技隆重推出了全新的模块化主机、四倍于当前业内存储器深度的全新逻辑分析模块，以及适用于PCI Express和Altera FPGA开发者的新应用附件，从而进一部丰富了安捷伦的逻辑分析仪产品线。计算机、通信、半导体、宇航和国防、汽车和无线行业的电子设计师不断进行越来越复杂的硬件设计，设计师要用逻辑分析仪验证和调试他们的设计。伴随着高速设计的新测试挑战，需要具备测试过程中不...[详细]
英特尔彰显进嵌入式雄心签合作备忘录

　　英特尔(中国)有限公司和盛博科技嵌入式计算机有限公司(盛博科技)近日在上海英特尔信息技术峰会期间签署战略合作备忘录，宣布双方将加强合作和创新，发展盛博科技基于英特尔下一代嵌入式计算平台的解决方案在行业中的应用，并促进市场发展和本地标准的制定。双方的创新成果将能进一步满足中国汽车电子、医疗电子、数控系统、轨道交通、电力控制和通信等领域对嵌入式计算日益增长的需求。　　合作中，英特尔将为盛博科...[详细]
知名巨头公司加速抢滩便携市场看好商机

　　2008年7月17～18日，由深圳创意时代主办的“第四届便携式产品设计与电源管理技术研讨会”在深圳隆重召开。为期两天的大会紧紧围绕便携产品设计、便携电源管理两大主题展开，引起了关于便携主题的广泛讨论。国际知名企业TI、ST 、ADI倾情参与，知名行业分析机构IN-Stat China 预测了行业的最新趋势，3M、飞兆、英飞凌、精工、爱国者、中电等国内外著名企业都发表了精彩演讲。　　精彩的...[详细]
实际检验WiMax MIMO测试推动产业发展

随着台湾都会区域Wi-Fi项目纷纷取消，WiMax开始成为众人注目的焦点。WiMax能够克服都会区域和长途应用中Wi-Fi的所有缺点，业界已有多家芯片供货商提供了WiMax芯片解决方案，除此之外，多家业者早已投入巨资以促进WiMax产业发展。尽管最近有大量新闻报导基础建设的准备工作有所延迟，但WiMax设计似乎仍不断地向前发展。而且大多数设计是依据Wave-2规格，采用多输入...[详细]
英飞凌推出集成MCU的单片UHF发射器

2008 年 7 月 24 日，英飞凌科技股份公司（ FSE/NYSE:IFX ）近日推出适用于无线控制应用的下一代高度集成化发射器集成电路。全新 SmartLEWIS ™ MCU PMA71xx 系列的所有型号，都装有一颗适用于 1GHz ISM 子频的 ASK/FSK 多频带发射器，以及通过特定的嵌入式混合信号外设增强...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多