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IRF521R

产品描述9.2A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小192KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF521R概述

9.2A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF521R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

IRF521R相似产品对比

IRF521R IRF520R
描述 9.2A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9.2 A 9.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1
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