Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TO-39 |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
| JEDEC-95代码 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5 W |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/391 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| JAN2N3019S | JANTX2N3019S | JANTXV2N3019S | JANS2N3019S | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 | 15 | 15 | 15 |
| JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5 W | 5 W | 5 W | 5 W |
| 认证状态 | Qualified | Qualified | Qualified | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/391 | MIL-19500/391 | MIL-19500/391 | MIL-19500/391 |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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