电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

5KP22C-T3-LF

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 22V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P-600, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共6页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

5KP22C-T3-LF概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 22V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P-600, 2 PIN

5KP22C-T3-LF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P-600, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压30.9 V
最小击穿电压24.4 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
最大重复峰值反向电压22 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
WTE
POWER SEMICONDUCTORS
5KP SERIES
Pb
5000W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Features
Glass Passivated Die Construction
5000W Peak Pulse Power Dissipation
5.0V – 110V Standoff Voltage
Uni- and Bi-Directional Versions Available
Excellent Clamping Capability
Fast Response Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
A
B
A
C
D
Mechanical Data
Case: P-600, Molded Plastic
Terminals: Axial Leads, Solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional
Marking: Type Number
Weight: 2.10 grams (approx.)
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6
Dim
Max
A
25.4
B
8.60
9.10
C
1.20
1.30
D
8.60
9.10
All Dimensions in mm
“C” Suffix Designates Bi-directional Devices
“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices
No Suffix Designates 10% Tolerance Devices
P-600
Min
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Pulse Power Dissipation at T
A
= 25°C (Note 1, 2, 5) Figure 3
Peak Forward Surge Current (Note 3)
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 1
Steady State Power Dissipation (Note 2, 4)
Typical Thermal Resistance ,Junction to Lead (Note 6)
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 6)
Operating and Storage Temperature Range
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Symbol
P
PPM
I
FSM
I
PPM
P
M(AV)
R
θJL
R
θJA
T
j
, T
STG
Value
5000 Minimum
600
See Table 1
8.0
15
65
-55 to +175
Unit
W
A
A
W
°C/W
°C/W
°C
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 1 and derated above T
A
= 25°C per Figure 4.
2. Mounted on 20mm
2
copper pad.
3. 8.3ms single half sine-wave duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
4. Lead temperature at 75°C.
5. Peak pulse power waveform is 10/1000µS.
6. Measured at lead length 3/8” (9.5mm) from body.
5KP SERIES
1 of 6
© 2006 Won-Top Electronics
MOV指令助你理解CC2530的内外部memory存储器
没有接触过51核的人接触CC2530的时候会被各种内部、外部存储器搞晕,本人做了一个用MOV汇编指令来让大家理解CC2530复杂的存储器布局。 绝对原创,即使里头的广告也是绝对真实。 哈哈~ 有问题 ......
shzk47 无线连接
关于外扩ram和flash的问题
我是一个新手, 1.请问stm32外扩ram和flash分别是干什么用的 我自己认为外扩flash是为了解决程序过大用的,把一部分代码放到外部flash中去,但是是当程序空间大的时候自动写入外部flash吗,还 ......
dong130300 stm32/stm8
如何更改LDC1000EVM默认传感器线圈
Alfred Gomes为您演示如何通过几个简单的步骤,如何用自己的线圈来改变 LDC1000EVM的默认传感器线圈。TI新近推出的LDC1000是世界上第一个电感数字转换器(LDC),开创了一个新的数据转换器类别 ......
德州仪器_视频 模拟与混合信号
PIC系列单片机与MCS-51系列单片机的区别
应该说有三个主要特点: (1)总线结构:MCS-51的总线结构是冯-诺依曼型,计算机在同一个存储空间取指令和数据,两者不能 同时进行;而PIC的总线结构是哈佛结构,指令和数据空间是完全分开 ......
songbo Microchip MCU
请问如何弹出系统时间和闹钟设置对话框
如题, 请问如何弹出系统时间和闹钟设置对话框,需要框架函数,最好代码 谢谢...
woshis 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1906  1411  1504  1181  414  52  34  32  53  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved