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IDT70V658S

产品描述64K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
产品类别存储   
文件大小196KB,共23页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT70V658S概述

64K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256

IDT70V658S规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量256
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3.3 V
最小供电/工作电压3.15 V
最大供电/工作电压3.45 V
加工封装描述17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
each_compliYes
状态Active
sub_categorySRAMs
ccess_time_max12 ns
i_o_typeCOMMON
jesd_30_codeS-PBGA-B256
jesd_609_codee0
存储密度2.36E6 bi
内存IC类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
moisture_sensitivity_level3
端口数2
位数65536 words
位数64K
操作模式ASYNCHRONOUS
组织64KX36
输出特性3-STATE
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeLBGA
ckage_equivalence_codeBGA256,16X16,40
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_225
wer_supplies__v_2.5/3.3,3.3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.5 mm
standby_current_max0.0150 Am
standby_voltage_mi3.15 V
最大供电电压0.5150 Am
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层TIN LEAD
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子位置BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_20
length17 mm
width17 mm

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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 36
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12/15ns (max.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V658 easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
x
x
x
PRELIMINARY
IDT70V658S
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
2L
BE
3 R
BE
2 R
BE
1R
BE
0R
R/
W
R
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
2
L
B
E
3
L
B
E
3
R
BB
EE
2 1
RR
B
E
0
R
BE
1 L
BE
0L
R/
W
L
CE
0 L
CE1 L
CE
0 R
CE1R
OE
L
OE
R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
64K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O - I/O
0L
35L
Di n_L
Di n_R
I/O - I/O
0R
35R
A15 L
A0 L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A
15R
A
0R
CE
0 L
CE1L
OE
L
R/WL
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0 R
CE1R
OE
R
R/WR
BUSY
R
BUSY
L
SEM
L
INT
L
M/S
SEM
R
INT
R
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5613 drw 01
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S=V
IL
) and an output when it is a Master (M/S=V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
JUNE 2001
DSC-5613/3
1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V658S相似产品对比

IDT70V658S IDT70V658
描述 64K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256 64K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
功能数量 1 1
端子数量 256 256
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel
最大工作温度 85 Cel 85 Cel
额定供电电压 3.3 V 3.3 V
最小供电/工作电压 3.15 V 3.15 V
最大供电/工作电压 3.45 V 3.45 V
加工封装描述 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
each_compli Yes Yes
状态 Active Active
sub_category SRAMs SRAMs
ccess_time_max 12 ns 12 ns
i_o_type COMMON COMMON
jesd_30_code S-PBGA-B256 S-PBGA-B256
jesd_609_code e0 e0
存储密度 2.36E6 bi 2.36E6 bi
内存IC类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 36 36
moisture_sensitivity_level 3 3
端口数 2 2
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 64KX36 64KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
ckage_code LBGA LBGA
ckage_equivalence_code BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40
包装形状 SQUARE SQUARE
包装尺寸 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行 PARALLEL PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_ 225 225
wer_supplies__v_ 2.5/3.3,3.3 2.5/3.3,3.3
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL
seated_height_max 1.5 mm 1.5 mm
standby_current_max 0.0150 Am 0.0150 Am
standby_voltage_mi 3.15 V 3.15 V
最大供电电压 0.5150 Am 0.5150 Am
表面贴装 YES YES
工艺 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL
端子间距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ 20 20
length 17 mm 17 mm
width 17 mm 17 mm
位数 64K 64K
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