5962R9573901VCC概述

NAND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14

5962R9573901VCC规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HCT
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e4
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
传播延迟（tpd）	20 ns
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
总剂量	100k Rad(Si) V
Base Number Matches	1

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5962R9573901VCC相似产品对比

	5962R9573901VCC	HCTS132DMSH	HCTS132KMSH	5962R9573901VCX	5962R9573901VXC
描述	NAND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NAND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NAND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	NAND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NAND Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HCT	HCT	HCT	HCT	HCT
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
功能数量	4	4	4	4	4
输入次数	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK
传播延迟（tpd）	20 ns	25 ns	25 ns	20 ns	20 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	100k Rad(Si) V	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V
Base Number Matches	1	1	1	1	1
JESD-609代码	e4	e0	e0	-	e4
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	-	50 pF
端子面层	GOLD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	GOLD

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