TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3J1A, 4 PIN, FET RF Small Signal
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 15 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 0.04 pF |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 21 dB |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
3SK151-Y | 3SK151-GR | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3J1A, 4 PIN, FET RF Small Signal | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-3J1A, 4 PIN, FET RF Small Signal |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 15 V | 15 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A | 0.03 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 0.04 pF | 0.04 pF |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 21 dB | 21 dB |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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