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HD74ALVC2G00US-E

产品描述NAND Gate, ALVC/VCX/A Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8, SSOP-8
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小86KB,共10页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
标准
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HD74ALVC2G00US-E概述

NAND Gate, ALVC/VCX/A Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8, SSOP-8

HD74ALVC2G00US-E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOIC
包装说明VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数8
Reach Compliance Codeunknown
系列ALVC/VCX/A
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度2.3 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量2
输入次数2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSSOP
封装等效代码TSSOP8,.12,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TAPE AND REEL
电源3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup2.8 ns
传播延迟(tpd)7 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.5 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度2 mm
Base Number Matches1

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HD74ALVC2G00
Dual 2-input NAND Gates
ADE-205-610B (Z)
Rev. 2
August. 2001
Description
The HD74ALVC2G00 has two-input NAND gate in a 8 pin package. Low voltage and high speed
operation is suitable for the battery powered products (e.g., notebook computers), and the low power
consumption extends the battery life.
Features
The basic gate function is lined up as hitachi uni logic series.
Supplied on emboss taping for high speed automatic mounting.
Supply voltage range : 1.2 to 3.6 V
Operating temperature range :
−40
to +85°C
All inputs V
IH
(Max.) = 3.6 V (@V
CC
= 0 V to 3.6 V)
All outputs V
O
(Max.) = 3.6 V (@V
CC
= 0 V)
Output current
±2
mA (@V
CC
= 1.2)
±4
mA (@V
CC
= 1.4 V to 1.6 V)
±6
mA (@V
CC
= 1.65 V to 1.95 V)
±18
mA (@V
CC
= 2.3 V to 2.7 V)
±24
mA (@V
CC
= 3.0 V to 3.6 V)
Package type
Package type
SSOP-8 pin
Package code
TTP-8DB
Package suffix
US
Taping code
E (3,000 pcs / Reel)

HD74ALVC2G00US-E相似产品对比

HD74ALVC2G00US-E
描述 NAND Gate, ALVC/VCX/A Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8, SSOP-8
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOIC
包装说明 VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数 8
Reach Compliance Code unknown
系列 ALVC/VCX/A
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
长度 2.3 mm
负载电容(CL) 30 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE
最大I(ol) 0.024 A
功能数量 2
输入次数 2
端子数量 8
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSSOP
封装等效代码 TSSOP8,.12,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TAPE AND REEL
电源 3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 2.8 ns
传播延迟(tpd) 7 ns
认证状态 Not Qualified
施密特触发器 NO
座面最大高度 0.9 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.5 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
宽度 2 mm
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