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IRF520NSPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小414KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF520NSPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRF520NSPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)91 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.7 A
最大漏极电流 (ID)9.7 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)38 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD- 95749
IRF520NSPbF
IRF520NLPbF
• Lead-Free
www.irf.com
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