TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL, FET, DIE-16, FET RF Small Signal
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N12 |
针数 | 12 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.4 A |
FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N12 |
JESD-609代码 | e0 |
端子数量 | 12 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 7.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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