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11DF3TR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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11DF3TR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

11DF3TR规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

11DF3TR相似产品对比

11DF3TR 11DF3TA2B5 11DF4TR 11DF3TA2B2
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 300 V 300 V 400 V 300 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1
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