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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> 5962R9569001V9A
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5962R9569001V9A

产品描述

5962R9569001V9A放大器基础信息：

5962R9569001V9A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP

5962R9569001V9A放大器核心信息：

5962R9569001V9A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：1 µA他的最大平均偏置电流为0.3 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962R9569001V9A的标称压摆率有2 V/us。厂商给出的5962R9569001V9A的最大压摆率为7.5 mA，而最小压摆率为0.5 V/us。其最小电压增益为40000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962R9569001V9A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为8000 kHz。

5962R9569001V9A的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。5962R9569001V9A的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

5962R9569001V9A的相关尺寸：

5962R9569001V9A拥有14个端子.其端子位置类型为：UPPER。共有针脚：14

5962R9569001V9A放大器其他信息：

5962R9569001V9A采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962R9569001V9A的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。5962R9569001V9A不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为：R-XUUC-N14。其对应的的JESD-609代码为：e4。5962R9569001V9A的封装代码是：DIE。5962R9569001V9A封装的材料多为UNSPECIFIED。而其封装形状为RECTANGULAR。

5962R9569001V9A封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小40KB，共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
器件替换：5962R9569001V9A替换放大器
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5962R9569001V9A概述

5962R9569001V9A放大器基础信息：

5962R9569001V9A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP

5962R9569001V9A放大器核心信息：

5962R9569001V9A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：1 µA他的最大平均偏置电流为0.3 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962R9569001V9A的标称压摆率有2 V/us。厂商给出的5962R9569001V9A的最大压摆率为7.5 mA，而最小压摆率为0.5 V/us。其最小电压增益为40000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962R9569001V9A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为8000 kHz。

5962R9569001V9A的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。5962R9569001V9A的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

5962R9569001V9A的相关尺寸：

5962R9569001V9A拥有14个端子.其端子位置类型为：UPPER。共有针脚：14

5962R9569001V9A放大器其他信息：

5962R9569001V9A采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962R9569001V9A的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。5962R9569001V9A不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为：R-XUUC-N14。其对应的的JESD-609代码为：e4。5962R9569001V9A的封装代码是：DIE。5962R9569001V9A封装的材料多为UNSPECIFIED。而其封装形状为RECTANGULAR。

5962R9569001V9A封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。

5962R9569001V9A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIE
包装说明DIE, DIE OR CHIP
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码USML XV(E)
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)1 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-XUUC-N14
JESD-609代码e4
低-失调NO
负供电电压上限-20 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装等效代码DIE OR CHIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最小摆率0.5 V/us
标称压摆率2 V/us
最大压摆率7.5 mA
供电电压上限20 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽8000 kHz
最小电压增益40000
Base Number Matches1

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HS-5104ARH
TM
Data Sheet
August 2001
File Number
3025.4
Radiation Hardened Low Noise Quad
Operational Amplifier
tle
-
4A
-
ia-
d-
The HS-5104ARH is a radiation hardened, monolithic quad
operational amplifier that provides highly reliable
performance in harsh radiation environments. Its excellent
noise characteristics coupled with an unique array of
dynamic specifications make this amplifier well-suited for a
variety of satellite system applications. Dielectrically
isolated, bipolar processing makes this device immune to
Single Event Latch-Up.
The HS-5104ARH shows almost no change in offset voltage
after exposure to 100kRAD(Si) gamma radiation, with only a
minor increase in current. Complementing these specifications
is a post radiation open loop gain in excess of 40K.
This quad operational amplifier is available in an industry
standard pinout, allowing for immediate interchangeability
with most other quad operational amplifiers.
Specifications for Rad Hard QML devices are controlled
by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The
SMD numbers listed here must be used when ordering.
Detailed Electrical Specifications for these devices are
contained in SMD 5962-95690. A “hot-link” is provided
on our homepage for downloading.
http://www.intersil.com
Features
• Electrically Screened to SMD # 5962-95690
• QML Qualified per MIL-PRF-38535 Requirements
• Radiation Environment
- Gamma Dose (γ) . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 x 10
5
RAD(Si)
• Low Noise
- At 1kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3nV/√Hz (Typ)
- At 1kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6pA/√Hz (Typ)
• Low Offset Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3.0mV (Max)
• High Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0V/µs (Typ)
• Gain Bandwidth Product . . . . . . . . . . . . . . . 8.0MHz (Typ)
se
d
ra-
al
pli-
tho
-
ds
r-
po-
n,
i-
or,
ia-
d-
,
Applications
• High Q, Active Filters
• Voltage Regulators
• Integrators
• Signal Generators
• Voltage References
• Space Environments
Ordering Information
ORDERING NUMBER
5962R9569001V9A
5962R9569001VCC
5962R9569001VXC
INTERNAL
MKT. NUMBER
HS0-5104ARH-Q
HS1-5104ARH-Q
HS9-5104ARH-Q
TEMP. RANGE
(
o
C)
25
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
HS1-5104ARH/PROTO HS1-5104ARH/PROTO
Pinouts
HS-5104ARH (SBDIP) CDIP2-T14
TOP VIEW
OUT 1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
OUT 2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
OUT 4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
OUT 1
-IN1
HS-5104ARH (FLATPACK) CDFP3-F14
TOP VIEW
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
OUT 4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
d,
L,
+IN1
V+
+IN2
-IN2
OUT 2
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-888-INTERSIL or 321-724-7143
|
Intersil and Design is a trademark of Intersil Americas Inc.
Copyright © Intersil Americas Inc. 2001, All Rights Reserved

5962R9569001V9A相似产品对比

5962R9569001V9A 5962R9569001VCC
描述 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, UUC14, DIE-14 QUAD OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, CDIP14, CERAMIC, DIP-14
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DIE DIP
包装说明 DIE, DIE OR CHIP DIP, DIP14,.3
针数 14 14
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 USML XV(E) EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.3 µA 1 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 1 µA 1 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电压 3000 µV 5000 µV
JESD-30 代码 R-XUUC-N14 R-GDIP-T14
JESD-609代码 e4 e4
低-失调 NO NO
负供电电压上限 -20 V -20 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V
功能数量 4 4
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIE DIP
封装等效代码 DIE OR CHIP DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-15 V +-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最小摆率 0.5 V/us 0.5 V/us
标称压摆率 2 V/us 2 V/us
供电电压上限 20 V 20 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V
表面贴装 YES NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 UPPER DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽 8000 kHz 8000 kHz
最小电压增益 40000 40000

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