Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH, G1, DIE-2
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 250 |
| JESD-30 代码 | S-XUUC-N2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 235 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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