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5962R9581901VQC

产品描述24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, CDIP40, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小240KB,共22页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962R9581901VQC概述

24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, CDIP40, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40

5962R9581901VQC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP40,.6
针数40
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码R-CDIP-T40
JESD-609代码e4
I/O 线路数量24
端口数量3
端子数量40
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度5.72 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
宽度15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Changes to conditions in Table I, addition of Test condition 2 in Figure
4. Editorial changes throughout.
DATE
(YR-MO-DA)
96-11-13
APPROVED
Thomas M. Hess
REV
SHEET
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SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
A
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PREPARED BY
Thomas M. Hess
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A
11
A
12
A
13
A
14
PMIC N/A
DEFENSE ELECTRONICS SUPPLY CENTER
DAYTON, OHIO 45444
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
Thomas M. Hess
APPROVED BY
Monica L. Poelking
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED,
CMOS, PROGRAMMABLE PERIPHERAL INTERFACE,
MONOLITHIC SILICON
DRAWING APPROVAL DATE
95-12-28
SIZE
REVISION LEVEL
A
CAGE CODE
AMSC N/A
A
SHEET
67268
1
OF
21
5962-95819
DESC FORM 193
JUL 94
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E033-97

5962R9581901VQC相似产品对比

5962R9581901VQC 5962R9581901QQC
描述 24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, CDIP40, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40 24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, CDIP40, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6
针数 40 40
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 R-CDIP-T40 R-CDIP-T40
JESD-609代码 e4 e4
I/O 线路数量 24 24
端口数量 3 3
端子数量 40 40
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度 5.72 mm 5.72 mm
最大供电电压 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD GOLD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
宽度 15.24 mm 15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE
Base Number Matches 1 1
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