IRFWZ44A: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小197KB，共6页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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IRFWZ44A概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

IRFWZ44A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	857 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	50 A
最大漏源导通电阻	0.024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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IRFWZ44A相似产品对比

	IRFWZ44A	IRFIZ44A
描述	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	857 mJ	857 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	50 A	50 A
最大漏源导通电阻	0.024 Ω	0.024 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
元件数量	1	1
端子数量	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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