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BAS45A116: 产品描述DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小97KB，共4页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BAS45A116概述

DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode

	BAS45A116	BAS45A153	BAS45A136
描述	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V
JEDEC-95代码	DO-34	DO-34	DO-34
JESD-30 代码	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流	4 A	4 A	4 A
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
最大输出电流	0.25 A	0.25 A	0.25 A
封装主体材料	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大功率耗散	0.3 W	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	125 V	125 V	125 V
最大反向电流	0.001 µA	0.001 µA	0.001 µA
最大反向恢复时间	1.5 µs	1.5 µs	1.5 µs
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ