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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BCX55-10
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BCX55-10

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小793KB，共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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BCX55-10概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

BCX55-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)63
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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$ %    !"#
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
Features
•
•
•
•
Power Dissipation: P
CM
=0.5W (T
amb
=25
℃)
Collector Current: I
CM
=1.0A
Collector-Base Voltage: V
(BR)CBO
=60V
Marking : BCX55=BE, BCX55-10=BG, BCX55-16=BM
•
Maximum Ratings
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Symbol
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
UL Flammability
Rating
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Current DC
Collector Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100uA, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=10mA, I
B
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=10uA, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=30V, I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=5.0V, I
C
=0)
DC Current Gain
(V
CE
=2.0V, I
C
=150mA)
BCX55
BCX55-10
BCX55-16
DC Current Gain
(V
CE
=2.0V, I
C
=5.0mA)
DC Current Gain
(V
CE
=2.0V, I
C
=500mA)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mA,I
B
=50mA)
Base-Emitter Voltage
(I
C
=500mA, V
CE
=2.0V)
Transition Frequency
(V
CE
=10V, I
C
=50mA,
f=100MHz)
Min
Value
60
60
5
1.0
0.5
-55 to +150
-55 to +150
Typ
Max
Unit
V
V
V
A
W
O
C
O
C
Units
SOT-89





















 


 

 








































A
B
K
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
60
60
5
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
0.1
0.1
V
V
V
uA
uA
E
C
D
G
F
H
J
B
C
E
63
63
100
40
25
---
---
130
---
---
---
250
160
250
---
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE(sat)
V
BE(on)
f
T
---
---
---
0.5
1
---
V
V
MHz

























www.mccsemi.com
Revision: 2
1 of 2
2006/05/13

BCX55-10相似产品对比

BCX55-10 BCX55 BCX55-16 BCX55-T
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 ,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant unknown
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
针数 3 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A -
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 63 63 100 -
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 NPN NPN NPN -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES -
端子形式 FLAT FLAT FLAT -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 130 MHz 130 MHz 130 MHz -

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