IC 8-BIT, MROM, 10 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Microcontroller
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
具有ADC | NO |
其他特性 | 2V DATA RETENTION |
地址总线宽度 | |
位大小 | 8 |
边界扫描 | NO |
CPU系列 | COP800 |
最大时钟频率 | 10 MHz |
DAC 通道 | NO |
DMA 通道 | NO |
外部数据总线宽度 | |
格式 | FIXED POINT |
集成缓存 | NO |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 35.725 mm |
低功率模式 | YES |
DMA 通道数量 | |
外部中断装置数量 | 1 |
I/O 线路数量 | 23 |
串行 I/O 数 | 2 |
端子数量 | 28 |
计时器数量 | 2 |
片上数据RAM宽度 | 8 |
片上程序ROM宽度 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
PWM 通道 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
RAM(字节) | 192 |
RAM(字数) | 192 |
ROM(单词) | 4000 |
ROM可编程性 | MROM |
座面最大高度 | 5.334 mm |
速度 | 10 MHz |
最大压摆率 | 12.5 mA |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER |
Base Number Matches | 1 |
这份文档是关于National Semiconductor公司生产的COP888xG/CS系列8位CMOS ROM基础微控制器的数据手册。以下是一些值得关注的技术信息:
微控制器家族特点:
内存容量:
封装选项:
温度范围:
电源电压:
特殊功能:
I/O端口:
通信接口:
开发支持:
电气特性:
绝对最大额定值:
典型性能特性:
引脚描述和功能:
振荡器配置:
中断和特殊功能寄存器:
指令集和寻址模式:
开发工具和支持:
COP684CS-XXX/N | |
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描述 | IC 8-BIT, MROM, 10 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Microcontroller |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
具有ADC | NO |
其他特性 | 2V DATA RETENTION |
位大小 | 8 |
边界扫描 | NO |
CPU系列 | COP800 |
最大时钟频率 | 10 MHz |
DAC 通道 | NO |
DMA 通道 | NO |
格式 | FIXED POINT |
集成缓存 | NO |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 35.725 mm |
低功率模式 | YES |
外部中断装置数量 | 1 |
I/O 线路数量 | 23 |
串行 I/O 数 | 2 |
端子数量 | 28 |
计时器数量 | 2 |
片上数据RAM宽度 | 8 |
片上程序ROM宽度 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
PWM 通道 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
RAM(字节) | 192 |
RAM(字数) | 192 |
ROM(单词) | 4000 |
ROM可编程性 | MROM |
座面最大高度 | 5.334 mm |
速度 | 10 MHz |
最大压摆率 | 12.5 mA |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER |
Base Number Matches | 1 |
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