Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFV360PBF

IRFV360PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小28KB，共1页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRFV360PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,

IRFV360PBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	980 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (ID)	25 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-258AA
JESD-30 代码	R-XSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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IRFV360PBF相似产品对比

	IRFV360PBF	IRFV360	IRFV064PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,
是否Rohs认证	符合	不符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant
雪崩能效等级（Eas）	980 mJ	980 mJ	620 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	400 V	400 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	25 A	25 A	45 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	0.2 Ω	0.017 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-258AA	TO-258AA	TO-258AA
JESD-30 代码	R-XSFM-P3	R-XSFM-P3	R-XSFM-P3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A	100 A	400 A
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3	-	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
Base Number Matches	1	1	-

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