TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 75A / I
CRM
= 150A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
•
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
ElectricalFeatures
• LowInductiveDesign
• LowSwitchingLosses
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
•
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2015-08-26
revision:V2.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:CM
approvedby:AKDA
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
1200
75
30
45
150
275
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,03
0,03
0,03
0,01
0,012
0,012
0,25
0,32
0,34
0,025
0,04
0,045
0,40
0,60
0,70
1,05
1,60
1,75
270
5,05
typ.
1,45
1,55
1,60
5,80
0,57
0,0
4,40
0,235
1,0
100
max.
1,70
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 2,60 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,8
Ω
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,8
Ω
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,8
Ω
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,8
Ω
6,45
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, di/dt = 2600 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, du/dt = 2400 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
0,500 0,550 K/W
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-08-26
revision:V2.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
R
thCH
T
vj op
-40
0,450
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
30
60
310
typ.
max.
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
2,15 t.b.d.
1,85
1,70
85,0
90,0
95,0
2,30
2,95
3,30
0,85
1,25
1,35
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,700 0,750 K/W
0,700
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-08-26
revision:V2.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
650
50
30
60
100
175
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,022
0,022
0,025
0,01
0,012
0,012
0,12
0,15
0,165
0,025
0,037
0,04
0,40
0,55
0,60
0,90
1,20
1,30
350
250
5,05
typ.
1,25
1,30
1,30
5,80
0,50
0,0
3,10
0,095
1,0
100
max.
1,50
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
A
V
A
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,2
Ω
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,2
Ω
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
6,45
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, di/dt = 3000 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 6,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= 15 V, du/dt = 4200 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 6,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
8 µs, T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
0,750 0,850 K/W
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-08-26
revision:V2.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
R
thCH
T
vj op
-40
0,700
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FN
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
650
50
30
100
130
115
typ.
1,45
1,35
1,30
42,0
48,0
50,0
1,80
2,40
2,60
0,45
0,65
0,73
max.
1,65
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
I
F
= 30 A, - di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 400 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,800 1,10 K/W
0,600
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2015-08-26
revision:V2.0
5
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