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CTLS5064-M532-TR

产品描述SCRs SMD Silocon Controlled Rectifier
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小527KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CTLS5064-M532-TR在线购买

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CTLS5064-M532-TR概述

SCRs SMD Silocon Controlled Rectifier

CTLS5064-M532-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
SCRs
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM1 uA
On-State RMS Current - It RMS800 mA
Vf - Forward Voltage1.7 V
Gate Trigger Voltage - Vgt800 mV
Gate Trigger Current - Igt200 uA
Holding Current Ih Max5 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TLM532
系列
Packaging
Reel
产品
Product
SCRs
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000

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CTLS5064-M532
CTLS5064R-M532
SURFACE MOUNT
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLS5064-M532
and CTLS5064R-M532 (reverse pinout) are
epoxy molded PNPN Silicon Controlled Rectifiers
manufactured in a TLM532 case, designed for control
systems and sensing circuit applications.
MARKING CODES: CTLS5064-M532: CS64
CTLS5064R-M532: CFF
FEATURES:
TLM532 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
• High Voltage (VDRM=400V MAX)
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Off-State Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS On-State Current
Average On-State Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDRM
VRRM
IT(RMS)
IT(AV)
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
400
400
0.8
0.51
1.0
-65 to +150
77
UNITS
V
V
A
A
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IDRM
VD=Rated VDRM, RGK=1.0KΩ
IRRM
VD=Rated VDRM, RGK=1.0KΩ
IDRM
IRRM
VT
IGT
VGT
VGD
IH
tON
VD=Rated
VD=Rated
IT=1.2A
VDRM, RGK=1.0KΩ,
VDRM, RGK=1.0KΩ,
TA=125°C
TA=125°C
MAX
1.0
1.0
50
50
1.7
200
0.8
UNITS
μA
μA
μA
μA
V
μA
V
V
mA
μs
VD=7.0V, RL=100Ω, RGK=1.0KΩ
VD=7.0V, RL=100Ω, RGK=1.0KΩ
VD= Rated VDRM, RL=100Ω, TA=125°C
VD=7.0, RGK=1.0KΩ
VD= Rated VDRM, IGT=1.0mA,
RGK=1.0Ω, di/dt=6.0A/μs
0.1
5.0
2.8
R2 (19-February 2010)

 
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