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MRF240A

产品描述RF Bipolar Transistors RF Transistor
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小14KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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MRF240A概述

RF Bipolar Transistors RF Transistor

MRF240A规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
制造商
Manufacturer
ASI [ASI Semiconductor, Inc]
RoHSDetails
Transistor TypeBipolar Power
技术
Technology
Si
Transistor PolarityNPN
DC Collector/Base Gain hfe Min10
Collector- Emitter Voltage VCEO Max18 V
Emitter- Base Voltage VEBO4 V
Continuous Collector Current8 A
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
安装风格
Mounting Style
Screw
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-123
系列
Packaging
Tray
Operating Frequency160 MHz
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 W
类型
Type
RF Bipolar Power

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MRF240A
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF240A
is Designed for
Class C Amplifier Applications in VHF
Mobile Radios.
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
FEATURES:
P
G
= 9.0 dB Min. at 40 W /160 MHz
• η
C
= 55% Min. at 40 W /160 MHz
Omnigold™
Metalization System
E
C
Ø.125 NOM.
FULL R
J
.125
B
C
D
F
E
E
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
8.0 A
36 V
DIM
I
GH
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
18 V
4.0 V
100 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
2.9 °C/W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.240 / 6.10
.255 / 6.48
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 20 mA
I
C
= 20 mA
I
E
= 5.0 mA
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
18
4.0
10
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 4.0 A
f = 1.0 MHz
P
OUT
= 40 W
f = 160 MHz
10
150
125
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
9.0
55
10
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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