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IRFP064NPBF

产品描述MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小597KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRFP064NPBF概述

MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

IRFP064NPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明LEAD FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks 5 days
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)480 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)98 A
最大漏极电流 (ID)110 A
最大漏源导通电阻0.008 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)390 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 95001
IRFP064NPbF
Lead-Free
www.irf.com
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