IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
最大集电极电流 (IC) | 21 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
最大降落时间(tf) | 59 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 104 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 32 ns |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 329 ns |
标称接通时间 (ton) | 50 ns |
SGP10N60 | IHW30N120R | SP000999298XH | IGP30N65H5XKSA1 | IHW15N120R | IKW03N120H2FKSA1 | SP000991682NZ | |
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描述 | IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | IGBT Transistors PAYMENT | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | IGBT Transistors PAYMENT |
产品种类 Product Category |
- | - | IGBT Transistors | IGBT Transistors | - | IGBT Transistors | IGBT Transistors |
制造商 Manufacturer |
- | - | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
技术 Technology |
- | - | Si | Si | - | Si | Si |
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