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IS61LF25618A-75TQLI: 产品描述Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V .1uF X7R 1206 10%; 产品类别存储; 文件大小520KB，共25页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61LF25618A-75TQLI概述

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V .1uF X7R 1206 10%

IS61LF25618A-75TQLI规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	SRAM
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
RoHS	Details
Memory Size	4 Mbit
Organization	128 k x 18
Access Time	7.5 ns
Maximum Clock Frequency	117 MHz
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.465 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	3.135 V
Supply Current - Max	160 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TQFP-100
系列 Packaging	Tube
数据速率 Data Rate	SDR
Moisture Sensitive	Yes
Number of Ports	2
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	72
类型 Type	Synchronous
单位重量 Unit Weight	0.023175 oz

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IS61(64)LF12832A IS64VF12832A

IS61(64)LF12836A IS61(64)VF12836A

IS61(64)LF25618A IS61(64)VF25618A

128K x 32, 128K x 36, 256K x 18

4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

FEBRUARY 2014

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expan-

sion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• Power Supply

LF: V

3.3V + 5%,

ddq

3.3V/2.5V + 5%

VF: V

2.5V -5% +10%,

ddq

2.5V -5% +10%

• JEDEC 100-Pin QFP, 119-pin BGA, and 165-pin

BGA packages

• Automotive temperature available

• Lead-free available

LF/VF12836A and IS61(64)LF/VF25618A are high-speed,

low-power synchronous static RAMs designed to provide

burstable, high-performance memory for communication

and networking applications. The IS61(64)LF12832A is

organized as 131,072 words by 32 bits. The IS61(64)LF/

VF12836A is organized as 131,072 words by 36 bits. The

IS61(64)LF/VF25618A is organized as 262,144 words by

18 bits. Fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technol-

ogy, the device integrates a 2-bit burst counter, high-speed

SRAM core, and high-drive capability outputs into a single

monolithic circuit. All synchronous inputs pass through

registers controlled by a positive-edge-triggered single

clock input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock input. Write cycles can be one

to four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

Byte write operation is performed by using byte write en-

able (BWE) input combined with one or more individual

byte write signals (BWx). In addition, Global Write (GW)

is available for writing all bytes at one time, regardless of

the byte write controls.

Bursts can be initiated with either ADSP (Address Status

Processor) or

ADSC (Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be gener-

ated internally and controlled by the

ADV (burst address

advance) input pin.

The mode pin is used to select the burst sequence order,

Linear burst is achieved when this pin is tied LOW. Interleave

burst is achieved when this pin is tied HIGH or left floating.

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61(64)LF12832A, IS64VF12832A, IS61(64)

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

-6.5

6.5

7.5

133

-7.5

7.5

8.5

117

Units

MHz

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reason-

ably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications

unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc.

Rev. G1

2/11/2014

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描述	Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V .1uF X7R 1206 10%		SRAM 4M (128Kx36) 7.5ns Sync SRAM 3.3v	SRAM 4M (128Kx36) 6.5ns Sync SRAM 3.3v	SRAM 4Mb 2.5V 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM	SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v	SRAM 4Mb 7.5ns 128Kx32 Sync SRAM 3.3v	SRAM 4Mb 3.3V 7.5ns 128K x 36 Sync SRAM
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
封装 / 箱体 Package / Case	TQFP-100	TQFP-100	BGA-119	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	BGA-119
系列 Packaging	Tube	Tube	Tray	Tray	Tube	Reel	Reel	Reel
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	72	72	84	72	72	800	800	2000
RoHS	Details	Details	No	Details	-	Details	Details	Details
Memory Size	4 Mbit	4 Mbit	4 Mbit	4 Mbit	-	4 Mbit	4 Mbit	-
Organization	128 k x 18	128 k x 36	128 k x 36	128 k x 36	-	128 k x 18	-	-
Access Time	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	6.5 ns	-	7.5 ns	7.5 ns	-
Maximum Clock Frequency	117 MHz	117 MHz	117 MHz	133 MHz	-	117 MHz	117 MHz	-
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	-	Parallel	-	-
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	-	3.465 V	3.465 V	-
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	-	3.135 V	3.135 V	-
Supply Current - Max	160 mA	160 mA	160 mA	180 mA	-	160 mA	175 mA	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	-	- 40 C	- 40 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	-	+ 85 C	+ 125 C	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-	SMD/SMT	SMD/SMT	-
数据速率 Data Rate	SDR	SDR	SDR	SDR	-	SDR	SDR	-
Moisture Sensitive	Yes	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
Number of Ports	2	4	4	4	-	2	4	-
类型 Type	Synchronous	Synchronous	Synchronous	Synchronous	-	Synchronous	Synchronous	-
单位重量 Unit Weight	0.023175 oz	0.023175 oz	-	0.023175 oz	-	0.023175 oz	0.023175 oz	-

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