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MURTA60040R

产品描述400V 600A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Iso Package
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小538KB,共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
标准  
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MURTA60040R概述

400V 600A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Three Tower Iso Package

MURTA60040R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid8183984575
包装说明R-PUFM-X3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL5.85
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流4400 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流300 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MURTA60020 thru MURTA60060R
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types up to 600 V V
RRM
Heavy Three Tower Package
V
RRM
= 200 V - 600 V
I
F
= 600 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
100 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
MURTA60020 (R)
50
35
50
600
4400
-40 to 175
-40 to 175
MURTA60040 (R)
100
71
100
600
4400
-40 to 175
-40 to 175
MURTA60060 (R)
200
141
200
600
4400
-40 to 175
-40 to 175
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 300 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V, T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MURTA60020 (R)
1.3
25
5
MURTA60040 (R)
1.5
25
5
MURTA60060 (R)
1.7
25
5
Unit
V
μA
mA
Recovery Time
Maximum reverse recovery
time
T
RR
200
220
280
nS
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
R
thJC
0.12
0.12
0.12
°C/W
www.genesicsemi.com
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