Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT28F010GI-90T

CAT28F010GI-90T: 产品描述Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory; 产品类别存储存储; 文件大小110KB，共16页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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CAT28F010GI-90T概述

Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory

CAT28F010GI-90T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	QFJ
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

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CAT28F010

Licensed Intel

1 Megabit CMOS Flash Memory

second source

FEATURES

Fast read access time: 90/120 ns

Low power CMOS dissipation:

Commercial, industrial and automotive

temperature ranges

On-chip address and data latches

JEDEC standard pinouts:

–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

–Standby: 1 mA max (TTL levels)

–Standby: 100

A max (CMOS levels)

High speed programming:

–10

s per byte

–2 Sec Typ Chip Program

–32-pin DIP

–32-pin PLCC

–32-pin TSOP (8 x 20)

100,000 program/erase cycles

10 year data retention

Electronic signature

0.5 seconds typical chip-erase

12.0V

5% programming and erase voltage

Stop timer for program/erase

DESCRIPTION

The CAT28F010 is a high speed 128K x 8-bit electrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and EEPROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

The CAT28F010 is manufactured using Catalyst’s

advanced CMOS floating gate technology. It is designed

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

I/O0–I/O7

BLOCK DIAGRAM

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

DATA

LATCH

SENSE

AMP

ADDRESS LATCH

Y-GATING

Y-DECODER

1,048,576 BIT

MEMORY

ARRAY

A0–A16

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1019, Rev. G

CAT28F010GI-90T相似产品对比

	CAT28F010GI-90T	CAT28F010H-12T	CAT28F010PI-90	CAT28F010G-12T	CAT28F010LA-12	CAT28F010GI12	CAT28F010HR-12T	CAT28F010H90	CAT28F010GI-12T
描述	Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory	Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory	Flash Memory (128x8) 1M	Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory	Flash Memory (128x8) 1M 120ns	Flash Memory (128x8) 1M 120ns	Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory	Flash Memory (128x8) 1M 90ns	Flash Memory 1 Megabit Boot Block Flash Memory
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	QFJ	TSOP	DIP	QFJ	DIP	QFJ	TSOP	TSOP	QFJ
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LCC-32	8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32	DIP,	LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	DIP,	QCCJ, LDCC32,.5X.6	8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, REVERSE, TSOP-32	TSOP1, TSSOP32,.8,20	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数	32	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	90 ns	120 ns	90 ns	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns	90 ns	120 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PQCC-J32	R-PDIP-T32	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PQCC-J32
长度	13.97 mm	18.4 mm	42.03 mm	13.97 mm	42.03 mm	13.97 mm	18.4 mm	18.4 mm	13.97 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	105 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	TSOP1	DIP	QCCJ	DIP	QCCJ	TSOP1-R	TSOP1	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	1.2 mm	5.08 mm	3.55 mm	5.08 mm	3.55 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND	GULL WING	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	0.5 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD
宽度	11.43 mm	8 mm	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm	8 mm	8 mm	11.43 mm
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-
命令用户界面	YES	YES	-	YES	-	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	-	NO	-	NO	NO	NO	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	-	100000 Write/Erase Cycles	-	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-609代码	e3	e3	-	e3	e3	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	3	-	1	3	-	3	-	-	3
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20	-	LDCC32,.5X.6	-	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20	TSSOP32,.8,20	LDCC32,.5X.6
峰值回流温度（摄氏度）	245	NOT SPECIFIED	225	245	NOT SPECIFIED	245	NOT SPECIFIED	-	245
电源	5 V	5 V	-	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	-	0.0001 A	-	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	-	0.03 mA	-	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	TIN	Tin (Sn)	Tin (Sn)	MATTE TIN	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	-	40
切换位	NO	NO	-	NO	-	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	-	NOR TYPE	-	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
Base Number Matches	1	1	-	1	1	1	1	-	1

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