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IRF7203TRPBF

产品描述4.3A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共2页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF7203TRPBF概述

4.3A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

IRF7203TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF7203TRPBF相似产品对比

IRF7203TRPBF IRF7203TR
描述 4.3A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 4.3 A 4.3 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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