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JAN2N5339

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N5339概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

JAN2N5339规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/560
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2200 ns
最大开启时间(吨)200 ns
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/560
DEVICES
LEVELS
2N5339
2N5339U3
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
@ T
A
= +25°C
(1)
@ T
C
= +25°C
(2)
@ T
C
= +25°C
(3)
– U3
Operating & Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction-to Air
NOTES:
1) Derate linearly 5.71mW/°C for T
A
> 25°C
2) Derate linearly 100mW/°C for T
C
> 25°C
3) Derate linearly 434mW/°C for T
C
> 25°C – U3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 50mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 100Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 90Vdc, V
BE
= 1.5Vdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 100Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 6.0Vdc
V
(BR)CEO
I
CEO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
100
100
1.0
1.0
100
Vdc
µAdc
µAdc
µAdc
µAdc
U-3
(TO-276AA)
Symbol
Min.
Max.
Unit
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
, T
stg
R
θJA
Value
100
100
6.0
1.0
5.0
1.0
17.5
75
-65 to +200
175
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
°C
°C/W
TO-39
(TO-205AD)
T4-LDS-0011 Rev. 3 (101764)
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