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BTW69-1200RG

产品描述RS-232 Interface IC RS232 5V 2D/2R 1UF CAPS 16WSOIC COM
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小81KB,共6页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BTW69-1200RG概述

RS-232 Interface IC RS232 5V 2D/2R 1UF CAPS 16WSOIC COM

BTW69-1200RG规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time7 weeks
Samacsys DescriptionSCR Thyristor BTW69-1200RG, 1200V 32A 80mA, TOP Insulated 3-Pin
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间100 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率250 V/us
最大直流栅极触发电流80 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流150 mA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大漏电流200 mA
通态非重复峰值电流610 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流32000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流50 A
重复峰值关态漏电流最大值20 µA
断态重复峰值电压1200 V
重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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®
BTW67 and BTW69 Series
50A SCR
S
A
STANDARD
Table 1: Main Features
Symbol
I
T(RMS)
V
DRM
/V
RRM
I
GT
Value
50
600 to 1200
80
Unit
A
V
mA
G
K
A
G
K
DESCRIPTION
Available in high power packages, the
BTW67 /
BTW69
Series is suitable in applications where
power handling and power dissipation are critical,
such as solid state relays, welding equipment,
high power motor control.
Based on a clip assembly technology, they offer a
superior performance in surge current handling
capabilities.
Thanks to their internal ceramic pad, they provide
high voltage insulation (2500V
RMS
), complying
with UL standards (file ref: E81734).
Table 3: Absolute Ratings
(limiting values)
Symbol
I
T(RMS)
IT
(AV)
I
TSM
I
²
t
dI/dt
I
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
V
RGM
RMS on-state current
(180° conduction angle)
Average on-state current
(180° conduction angle)
Non repetitive surge peak on-state current
I
²
t Value for fusing
Parameter
K
A
G
RD91
(BTW67)
TOP3 Ins.
(BTW69)
Table 2: Order Codes
Part Numbers
BTW67-xxx
BTW69-xxxRG
Marking
BTW67xxx
BTW69xxx
Value
RD91
TOP3 Ins.
RD91
TOP3 Ins.
t
p
= 8.3 ms
t
p
= 10 ms
T
c
= 70°C
T
c
= 75°C
T
c
= 70°C
T
c
= 75°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
50
32
610
580
1680
50
8
1
- 40 to + 150
- 40 to + 125
5
REV. 5
Unit
A
A
A
A
2S
A/µs
A
W
°C
V
1/6
Critical rate of rise of on-state current I
G
= 2
F = 60 Hz
x I
GT
, t
r
100 ns
Peak gate current
Average gate power dissipation
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
Maximum peak reverse gate voltage
t
p
= 20 µs
February 2006

BTW69-1200RG相似产品对比

BTW69-1200RG BTW69-600RG
描述 RS-232 Interface IC RS232 5V 2D/2R 1UF CAPS 16WSOIC COM Bipolar Transistors - BJT PNP GP 100MA 45V
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 7 weeks 7 weeks
Samacsys Description SCR Thyristor BTW69-1200RG, 1200V 32A 80mA, TOP Insulated 3-Pin Silicon Controlled Rectifier BTW69-600RG, TOP3 3-Pin
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs
配置 SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 250 V/us 250 V/us
最大直流栅极触发电流 80 mA 80 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
最大漏电流 200 mA 200 mA
通态非重复峰值电流 610 A 610 A
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最大通态电流 32000 A 32000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 50 A 50 A
重复峰值关态漏电流最大值 20 µA 20 µA
断态重复峰值电压 1200 V 600 V
重复峰值反向电压 1200 V 600 V
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR
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