IXTP4N65X2,IXTP4N65X2 pdf中文资料,IXTP4N65X2引脚图,IXTP4N65X2电路-Datasheet-电子工程世界

IXTP4N65X2: 产品描述MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小266KB，共5页; 制造商IXYS ( Littelfuse ); 官网地址http://www.ixys.com/

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IXTP4N65X2在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
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MOSFET

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	IXYS ( Littelfuse )
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-220-3
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	850 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Qg - Gate Charge	8.3 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
Fall Time	25 ns
Forward Transconductance - Min	2.5 S
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	80 W
Rise Time	28 ns
Typical Turn-Off Delay Time	57 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns
单位重量 Unit Weight	0.012346 oz

	IXTP4N65X2	IXTA4N65X2
描述	MOSFET	Thick Film Resistors - SMD 240K OHM 1%
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET
制造商 Manufacturer	IXYS ( Littelfuse )	IXYS ( Littelfuse )
RoHS	Details	Details
技术 Technology	Si	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TO-220-3	TO-263-3
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V	650 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	850 mOhms	850 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	3 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V	30 V
Qg - Gate Charge	8.3 nC	8.3 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
Configuration	Single	Single
Channel Mode	Enhancement	Enhancement
系列 Packaging	Tube	Tube
Fall Time	25 ns	25 ns
Forward Transconductance - Min	2.5 S	2.5 S
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	80 W	80 W
Rise Time	28 ns	28 ns
Typical Turn-Off Delay Time	57 ns	57 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns	22 ns
单位重量 Unit Weight	0.012346 oz	0.068654 oz

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