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IXGH30N60B2

产品描述IGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小575KB,共5页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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IXGH30N60B2概述

IGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds

IXGH30N60B2规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Maximum Gate Emitter Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max70 A
高度
Height
21.46 mm
长度
Length
16.26 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
宽度
Width
5.3 mm
单位重量
Unit Weight
0.229281 oz

IXGH30N60B2相似产品对比

IXGH30N60B2 IXGT30N60B2
描述 IGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds IGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
产品种类
Product Category
IGBT Transistors IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse ) IXYS ( Littelfuse )
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3 TO-268-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole SMD/SMT
Configuration Single Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
系列
Packaging
Tube Tube
Continuous Collector Current Ic Max 70 A 70 A
高度
Height
21.46 mm 5.1 mm
长度
Length
16.26 mm 16.05 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30 30
宽度
Width
5.3 mm 14 mm
单位重量
Unit Weight
0.229281 oz 0.158733 oz
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