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SI4466DY

产品描述MOSFET 20V 13.2A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4466DY概述

MOSFET 20V 13.2A 2.5W

SI4466DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SO-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)13.2 A
最大漏极电流 (ID)9.5 A
最大漏源导通电阻0.009 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si4466DY
Vishay Siliconix
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
20
R
DS(on)
(Ω)
0.009 at V
GS
= 4.5 V
0.013 at V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
13.5
11
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information:
Si4466DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4466DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.7
3.0
1.9
- 55 to 150
13.5
10.5
50
1.36
1.5
0.95
W
°C
10 s
20
± 12
9.5
7.5
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
33
70
16
Maximum
42
84
21
°C/W
Unit
Document Number: 71820
S09-0767-Rev. F, 04-May-09
www.vishay.com
1

SI4466DY相似产品对比

SI4466DY SI4466DY-T1-GE3
描述 MOSFET 20V 13.2A 2.5W MOSFET 20V 13.5A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SO-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 9.5 A 9.5 A
最大漏源导通电阻 0.009 Ω 0.009 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A 50 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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