Buffers u0026 Line Drivers SGL N-IVT BUFR OD
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | VSON, SOLCC6,.04,16 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | unknown |
系列 | 1G |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 1.2 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUFFER |
最大I(ol) | 0.004 A |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
输入次数 | 1 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSON |
封装等效代码 | SOLCC6,.04,16 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8/5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 14.5 ns |
传播延迟(tpd) | 14.5 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 0.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.4 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 1 mm |
NLU1G07BMX1TCG | NLU1G07CMX1TCG | |
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描述 | Buffers u0026 Line Drivers SGL N-IVT BUFR OD | Buffers u0026 Line Drivers SGL N-IVT BUFR OD |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SOIC | SOIC |
包装说明 | VSON, SOLCC6,.04,16 | VSON, SOLCC6,.04,14 |
针数 | 6 | 6 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
系列 | 1G | 1G |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N6 | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
长度 | 1.2 mm | 1 mm |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUFFER | BUFFER |
最大I(ol) | 0.004 A | 0.004 A |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 |
输入次数 | 1 | 1 |
端子数量 | 6 | 6 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSON | VSON |
封装等效代码 | SOLCC6,.04,16 | SOLCC6,.04,14 |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8/5 V | 1.8/5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 14.5 ns | 14.5 ns |
传播延迟(tpd) | 14.5 ns | 14.5 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
施密特触发器 | NO | NO |
座面最大高度 | 0.4 mm | 0.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.4 mm | 0.35 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 1 mm | 1 mm |
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