TPS2015P,TPS2015P pdf中文资料,TPS2015P引脚图,TPS2015P电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 驱动程序和接口> TPS2015P

TPS2015P: 产品描述Power Switch ICs - Power Distribution SINGLE HI-SIDE MOSFET; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小482KB，共21页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

敬请期待详细参数选型对比

TPS2015P在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	TPS2015P	-	-	点击查看	点击购买

TPS2015P概述

Power Switch ICs - Power Distribution SINGLE HI-SIDE MOSFET

TPS2015P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e4
长度	9.81 mm
功能数量	1
端子数量	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
表面贴装	NO
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

TPS2015P相似产品对比

	TPS2015P	TPS2014PE4	TPS2015PE4
描述	Power Switch ICs - Power Distribution SINGLE HI-SIDE MOSFET	Power Switch ICs - Power Distribution DUAL HI-SIDE MOSFET	Power Switch ICs - Power Distribution SINGLE HI-SIDE MOSFET
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	DIP,
针数	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e4	e4	e4
长度	9.81 mm	9.81 mm	9.81 mm
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
表面贴装	NO	NO	NO
温度等级	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

推荐资源

通过降低IGBT栅极-发射极电压来限制短路电流

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ