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SI3911DV-T1

产品描述MOSFET 20V 2.2A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小107KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI3911DV-T1概述

MOSFET 20V 2.2A

SI3911DV-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)1.8 A
最大漏源导通电阻0.145 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SI3911DV-T1相似产品对比

SI3911DV-T1 SI3911DV-T1-E3
描述 MOSFET 20V 2.2A MOSFET 20V 2.2A
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TSOP TSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 1.8 A 1.8 A
最大漏源导通电阻 0.145 Ω 0.145 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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