MOSFET 20V 2.2A
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.145 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
SI3911DV-T1 | SI3911DV-T1-E3 | |
---|---|---|
描述 | MOSFET 20V 2.2A | MOSFET 20V 2.2A |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TSOP | TSOP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 | 6 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Is Samacsys | N | N |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.8 A | 1.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.145 Ω | 0.145 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e0 | e3 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 6 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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