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M93S46-WMN6T

产品描述EEPROM 5.5V 1K (64x16)
产品类别存储    存储   
文件大小304KB,共32页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93S46-WMN6T概述

EEPROM 5.5V 1K (64x16)

M93S46-WMN6T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)2 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数64 words
字数代码64
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64X16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

M93S46-WMN6T相似产品对比

M93S46-WMN6T M93S46-WMN6
描述 EEPROM 5.5V 1K (64x16) EEPROM 5.5V 1K (64x16)
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz 2 MHz
数据保留时间-最小值 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0
长度 4.9 mm 4.9 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 64 words 64 words
字数代码 64 64
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64X16 64X16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 3.9 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

 
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