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BC327-25ZL1

产品描述Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小102KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BC327-25ZL1概述

Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V PNP

BC327-25ZL1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 29-11
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)260 MHz
Base Number Matches1

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BC327, BC327-16,
BC327-25, BC327-40
Amplifier Transistors
PNP Silicon
Features
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
These are Pb−Free Devices*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector
−Emitter
Voltage
Collector
−Emitter
Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Continuous
Total Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above T
A
= 25°C
Total Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above T
A
= 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
stg
Value
−45
−50
−5.0
−800
625
5.0
1.5
12
−55
to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW/°C
W
mW/°C
°C
TO−92
CASE 29
STYLE 17
12
1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Symbol
R
qJA
R
qJC
Max
200
83.3
Unit
°C/W
°C/W
3
STRAIGHT LEAD
BULK PACK
3
BENT LEAD
TAPE & REEL
AMMO PACK
2
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
MARKING DIAGRAM
BC
xxx
AYWW
G
G
BCxxx = Device Code
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW = Work Week
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering, marking, and shipping information in
the package dimensions section on page 4 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
September, 2011
Rev. 6
1
Publication Order Number:
BC327/D

BC327-25ZL1相似产品对比

BC327-25ZL1 BC327 BC327-16ZL1 BC327-040G
描述 Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V PNP PNP Bipolar Transistor, 5000-BLKBX - Bulk Box Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V PNP Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V PNP
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 29-11 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 100 100 250
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-XBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 240 235 240 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 260 MHz 260 MHz 260 MHz 260 MHz
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 符合
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 NOT SPECIFIED
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