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NTGD3149CT1G: 产品描述MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小118KB，共8页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	TSOP
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PDSO-G6
针数	6
制造商包装代码	318G-02
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	2.4 A
最大漏源导通电阻	0.06 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

F2812编译顺利通过，烧写时提示如下错误，为什么呢？: **** Begin Erase/Program/Verify Operation. ***Erase/Program/Verify Operation in progress...Erase operation in progress...Erase operation was successful.Program operation in progress...Flash API Error ...; 筱凡天下微控制器 MCU

stm32f207的外扩NAND flash读取ID问题: 本人想用stm32f207VG做下外扩NAND flash，先读取ID不行，GPIO配置如下：RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOD | RCC_AHB1Periph_GPIOE |RCC_AHB1Periph_GPIOG , ENABLE);/*-...; xujiacjlu stm32/stm8

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初用pic的一点经历。: 最近搞了一下PIC12F1572。装软件，编译程序，下载。但是运行不正常。不管是连着下载器，下载器也供电，后者断开下载器，重新上电。调输入电压，加上拉，折腾一番，不管事。后来，也不知为啥。程序运行了。输出了脉冲信号。调整一下宽度吧。加了几个延时语句，但是下载后，发现，波形不变。hex的时间证明，是编译过的。下载程序用的mplab ipe V2.35,有个地方不太人性化啊，不显示hex的时间，每次都...; ienglgge Microchip MCU

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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