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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MUN2133T1
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MUN2133T1

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB，共12页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MUN2133T1概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP

MUN2133T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-59
包装说明PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 318D-04
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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MUN2113, MMUN2113L,
MUN5113, DTA144EE,
DTA144EM3, NSBA144EF3
Digital Transistors (BRT)
R1 = 47 kW, R2 = 47 kW
PNP Transistors with Monolithic Bias
Resistor Network
This series of digital transistors is designed to replace a single
device and its external resistor bias network. The Bias Resistor
Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias
network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−
emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce
both system cost and board space.
Features
PIN 1
BASE
(INPUT)
www.onsemi.com
PIN CONNECTIONS
PIN 3
COLLECTOR
(OUTPUT)
R1
R2
PIN 2
EMITTER
(GROUND)
•
•
•
•
MARKING DIAGRAMS
SC−59
CASE 318D
STYLE 1
Simplifies Circuit Design
Reduces Board Space
Reduces Component Count
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified
and PPAP Capable
•
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Collector−Base Voltage
Collector−Emitter Voltage
Collector Current − Continuous
Input Forward Voltage
Input Reverse Voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
V
IN(fwd)
V
IN(rev)
Max
50
50
100
40
10
Unit
Vdc
Vdc
mAdc
Vdc
Vdc
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
SOT−23
CASE 318
STYLE 6
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SC−70/SOT−323
CASE 419
STYLE 3
SC−75
CASE 463
STYLE 1
SOT−723
CASE 631AA
STYLE 1
SOT−1123
CASE 524AA
STYLE 1
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
= Specific Device Code
= Date Code*
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary depending up-
on manufacturing location.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering, marking, and shipping information in
the package dimensions section on page 2 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
1
January, 2015 − Rev. 4
Publication Order Number:
DTA144E/D

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描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SC-59 SC-75 SC-75 SC-59 SC-59 SC-75 SC-75 SC-59
包装说明 PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN CASE 463-01, SC-75, 3 PIN CASE 463-01, SC-75, 3 PIN PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CASE 463-01, SC-75, 3 PIN CASE 463-01, SC-75, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 318D-04 CASE 463-01 CASE 463-01 CASE 318D-04 318D-04 CASE 463-01 CASE 463-01 318D-04
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 15 15 80 60 80 160
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e3 e0 e0 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 240 240 240 240 260 240 240 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.3 W 0.15 W 0.2 W 0.338 W 0.3 W 0.3 W 0.338 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 40 30 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 -
湿度敏感等级 1 - 1 1 1 1 - 1

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