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SI5905DC-T1-GE3

产品描述MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI5905DC-T1-GE3在线购买

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SI5905DC-T1-GE3概述

MOSFET

SI5905DC-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-C8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si5905DC
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
-8
R
DS(on)
(Ω)
0.090 at V
GS
= - 4.5 V
0.130 at V
GS
= - 2.5 V
0.180 at V
GS
= - 1.8 V
1206-8 ChipFET
®
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
FEATURES
I
D
(A)
± 4.1
± 3.4
± 2.9
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs: 1.8 V Rated
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
1
S
2
Marking Code
DB XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
G
1
G
2
Bottom View
D
1
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si5905DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5905DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.8
2.1
1.1
- 55 to 150
260
± 4.1
± 2.9
± 10
- 0.9
1.1
0.6
W
°C
5s
-8
±8
± 3.0
± 2.2
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
50
90
30
Maximum
60
110
40
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71066
S10-0936-Rev. C, 19-Apr-10
www.vishay.com
1

SI5905DC-T1-GE3相似产品对比

SI5905DC-T1-GE3 SI5905DC-T1-E3
描述 MOSFET MOSFET 8V 4.1A 2.1W
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 8 V 8 V
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 0.09 Ω 0.09 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-C8 R-XDSO-C8
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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